三星不愿在7nm上使用DUV（深紫外）的过渡工艺，而是直接切入EUV，所以风险试产今年底才能开始，量产最快也要明年下旬了。不过，台积电和GF则思路有所不同，准备先用第一版7nm吸引客户，随后再导入EUV（极紫外光刻）。
据Digitimes报道，21日台积电举办了技术研讨会。CEO魏哲家驳斥了对台积电7nm良率提升缓慢的传言，他表示，可商用的7nm芯片生产已经启动，同时，在2019年底或者2020年初，5nm也会投入量产。
魏哲家介绍，三季度，导入EUV的增强版7nm将试产，今年底前，台积电将流片超过50款7nm芯片，用于AI、GPU和加密货币领域的居多，随后是5G基带和应用处理器（AP）。
魏哲家还预判，由于7nm的产出，2018年，台积电的12寸晶圆的总产能将达到120万片，比2017年的105万提升9%。
会上还提到，5nm和未来的3nm都将在台积电的新12寸晶圆厂（Fab 18）中率先流片，Fab 18坐落于台湾南部的科学园区，是台积电的第四座12寸晶圆厂。
当然，对于很多关注半导体和台积电的朋友来说，最想知道的还是今明两年的哪些芯片会由其7nm代工。报道援引消息人士提供的资料，新iPhone的A12芯片依然占据台积电7nm产能的大头，此外还有AMD的Vega显卡、联发科M70 5G基带、NVIDIA以及高通的产品。
编辑：快科技
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